Inventory search

Technical information

News Centerposition：Baoxingwei > News Center > 正文

【选型】Microchip（SPI、SQI）NOR闪存SST25系列选型指南

Edit:Baoxingwei Technology | Time:2020-01-11 10:06 | Number of views：324

【选型】Microchip串行SPI、SQINOR闪存SST25系列选型指南

SuperFlash®技术是一种创新型闪存技术，由Silicon Storage Technologies（SST）（后来被Microchip收购）发明，其擦写速度比市场上的同类竞争闪存技术快近1000倍。对于需要出色性能、优异数据保存能力和高可靠性的应用而言，我们的串行和并行闪存产品是绝佳选择。

产品特点：

①　丰富多样的串行SPI、SQI™和并行NOR闪存产品

②　业界最短的编程和擦除时间

③　卓越的可靠性和数据保存性能

④　低功耗

⑤　小型封装

⑥　集成安全和存储器保护功能

串行闪存（SPI和SQI™闪存器件）

Denity	型号（Part No.）	Voltage	工作温度
512Kbit	SST25VF512A-33-4C-SAE	2.7V - 3.6V	0°C to +70°C
1 Mbit	SST25VF010A-33-4C-SAE	2.7V - 3.6V	0°C to +70°C
2 Mbit	SST25VF020B-80-4I-SAE	2.7V - 3.6V	-40°C to +85°C
2 Mbit	SST25VF020B-80-4C-SAE	2.7V - 3.6V	0°C to +70°C
4 Mbit	SST25VF040B-50-4I-SAF	2.7V - 3.6V	-40°C to +85°C
4 Mbit	SST25VF040B-50-4I-S2AF	2.7V - 3.6V	-40°C to +85°C
8 Mbit	SST25VF080B-50-4I-S2AF	2.7V - 3.6V	-40°C to +85°C
8 Mbit	SST25VF080B-50-4C-S2AF	2.7V - 3.6V	0°C to +70°C
16 Mbit	SST26VF016B-104I/SM	2.7V - 3.6V	-40°C to +85°C
32 Mbit	SST26VF032B-104I/SM	2.7V - 3.6V	-40°C to +85°C
64 Mbit	SST26VF064B-104I/SM	2.7V - 3.6V	-40°C to +85°C

Prve：【选型】Winbond华邦25系列串口式NOR型闪存选型指南

 Next：【常见问题】编程器烧录一批芯片, 出现部分产品工作异常是什么原因