IS61LV12816L-10TLI专业20年代理ISSI高速低功耗SRAM

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宝星微科技专业代理ISSI全系列高速低功耗SRAM和低、中密度DRAM存储器,深圳有现货,交期快,原厂原装货,可提供技术支持IS61LV12816L-10TLI主要应用：汽车电子，通信网络，数码消费类电子产品，工业和医疗设备等等IS61LV12816L-10TLI是一款2M(2048K)高速低功耗SRAM,TSOP44封装，工作电压3.3V，耐高温度85℃，耐低温度-40℃，储存容量2M(128*16),标准包装1350，标准托盘135，最新2018年现货供应，需了解更多资料请联系在线客服。

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IS61LV12816L-10TLI

IS61LV12816L-10TLI标准包装1350PCS实物供应

IS61LV12816L-10TLI标签 IS61LV12816L-10TLI基本技术参数表

RoHS	是
存储容量	2 Mbit
组织	128 k x 16
访问时间	10 ns
接口类型	Parallel
电源电压-最大	3.6 V
电源电压-最小	3.135 V
电源电流—最大值	65 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-44
数据速率	SDR
端口数量	1
系列	IS61LV12816L
工厂包装数量	135
类型	Asynchronous
制造商	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装方式	托盘
寿命周期	在售
存储器类型	易失
存储器格式	SRAM
技术	SRAM - 异步
写周期时间 - 字，页	10ns
存储器接口	并联
工作电源电压	3.135 V ~ 3.6 V
工作温度范围	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）

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