M12L2561616A-6TG晶豪ESMT存储器SDRAM(256M)TSOP54电压3.3V

宝星微科技推荐豪ESMT存储器SDRAM(256M)TSOP54电压3.3V,M12L2561616A-6TG是268435456位同步高数据速率动态RAM组织为4×4194304字由16位.同步设计允许精确的周期控制,使用系统时钟I/O事务在每个时钟周期都是可能的.工作频率范围/可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备可用于各种高带宽、高性能存储器系统应用。更多产品资料请与在线客服联系。

M12L2561616A-6TG适用范围：车用电子、工业用电子、行动/网络、计算机运算、消费性电子、物联网，一系列闪存设备正在用于移动设备，如手机和平板电脑，除了用于其他便携式应用的产品，如笔记本电脑、硬盘驱动器、固态硬盘、蓝牙和WiFi模块、MP3播放器、智能手表、游戏、数字收音机、玩具、DE等。CT机、照相机、数码相册、GPS和汽车。

M12L2561616A-6TG特征

y  JEDEC standard 3.3V power supply 

y  LVTTL compatible with multiplexed address 

y  Four banks operation 

y  MRS cycle with address key programs 

- CAS Latency ( 2 & 3 ) 

- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page ) 

- Burst Type ( Sequential & Interleave ) 

y  All inputs are sampled at the positive going edge of 

the system clock 

y  Burst Read single write operation 

y  DQM for masking 

y  Auto & self refresh 

y  64ms refresh period (8K cycle) 

y  All Pb-free products are RoHS-Compliant