S8F1G08UOA-YCBO代理NETSOL韩国1Gb A-die NAND Flash价格优势,品质优

宝星微科技代理NETSOL韩国NAND Flash  SRAM,可替换ISSI,BSI,SPANSIONS,三星等等，可提供技术支持,更多产品资料请与在线客服联系S8F1G08UOA-YCBO是一个带空闲32位的1G位NAND闪存。该设备提供3.3V的VCC。它的NAND电池提供了最具成本效益的固态应用市场解决方案。程序操作可以在（2K+ 64）字节页的典型的200秒和擦除操作中执行。可以在典型的2MS上执行（128K+4K）字节块。数据寄存器中的数据可以在每字节25N周期的时间内读出。I/O引脚用作端口用于地址和数据输入/输出以及命令输入。片上写入控制器自动化所有程序和擦除功能，包括脉冲重复，必要时，内部验证和数据边缘化。可以使用WP输入引脚锁定写入操作。输出引脚R/B B（开路漏极缓冲器）在每个操作期间指示设备的状态。在一个具有多个存储器的系统中，R/B B引脚可以是连接在一起以提供全局状态信号。

S8F1G08UOA-YCBO高清图,细节图,原厂原装真实现货库存

A-YCBO基本参数：

电压供应

Vcc：3.3V（2.7V~3.6V）

NAND接口

-命令/地址/数据多路复用I/O端口

X8 I/O总线

组织机构

-存储单元阵列：（128M+4M）×8位

页大小：（2K+ 64）字节

-数据寄存器：（2K+ 64）字节

自动程序和擦除

页程序：（2K+ 64）字节

块擦除：（128K+4K）字节

页读取操作

-随机读取：25 s（最大）

-串行存取：25NS（分钟）

快速写入周期时间

页编程时间：200秒（秒）

-块擦除时间：2MS（TYP）

复制备份程序

-没有外部缓冲的快速数据拷贝

硬件数据保护

-在电源转换期间编程/擦除锁定

数据保持

- 100K程序/擦除周期（具有1位/528字节ECC）

-数据保持：10年

S8F1G08UOA-YCBO型号命名说明：

-S8F= NETSOL  NAND Flash产品

1G08UOA=1Gb A-die 存储容量 

B0:无铅封装

48引脚TSOP1（12×20×1.2毫米）

-YX1注：1）C：商业    I:工业

S8F1G08UOA-YCBO可替换K9F1G08UOA-PCBO,s34ml01g200tfi000,MX30LF1G18AC-TI,W29N01HVSINA更多产品资料及技术支持请与在线客服联系。