SST36VF1601G-70-4I-L1PE小封装BGA存储器16M,价格美丽，有单价格可谈

Edit:Baoxingwei Technology | Time:2020-01-11 10:06 | Number of views：330

宝星微科技专业代理SST(MICROCHIP)全系列单片机存储器,深圳有现货2018年最新批次,交期快,原厂原装现货,可提供技术支持,SST36VF1601G-70-4I-L1PE是一款并行16M(1M x16 or 2M x8)存储器,使用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造，单电压操作和读写2.3-3.6V，快速读取访问时间：70Ns，低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型) ,存储器BGA48引脚,芯片可以擦写10,000次，数据可保留100年，产品可以耐高温85度，耐低温零下40度，更多产品资料请与在线客服联系。

SST36VF1601G-70-4I-L1PE高清图，细节图，原厂原装现货供应,有单价格好谈。

SST36VF1601G-70-4I-L1PE

SST36VF1601G-70-4I-L1PE特征：

组织为1MX16或2MX8

并发的双银行体系结构

读写操作

- 16兆位的底部扇区保护

- SST36VF1601G：4兆位+ 12兆位

- 16兆位顶部扇区保护

- SST36VF1602G：12兆位+ 4兆位

2.2.3.6V的读写操作

优越的可靠性

-耐力：100000个周期（典型）

超过100年的数据保存

Low Power消费：

-有源电流：6毫安典型

待机电流：4μA典型

-自动低功耗模式：4μA典型

硬件扇区保护/ WP输入引脚

-保护4个最外层扇区（8 kWord）

在较小的银行，通过驱动WP

驾驶不防护

硬件复位引脚（RST）

SST36VF1601G和SST36VF1602G是1Mx16或2Mx8CMOS并行读写闪存,采用SST专有的高性能CMOS超级闪存技术人工制造,与替代方法相比,分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和制造性,器件采用2.7-3.6V电源进行写入（编程或擦除）,符合JEDEC标准的x8/x16存储器引脚。

SST36VF1601G-70-4I-L1PE封装设计图

SST36VF1601G-70-4I-L1PE封装

Prve：PIC16F1829T-I/SS基于XLP技术的闪速微控制器,原装现货

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