W25Q16JVSSIQ无铅报告RoHS原装芯现货供应

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W25Q16JVSSIQThird party analysis reports are available upon request through our sales representative

w25q16JVSSIQ无铅报告

Signature:

Name/Title: YU-SUNG CHENG

ASSISTANT VICE PRESIDENT

Polybrominated Biphenyls (PBBs)

Hexavalent Chromium (CrVI)

RoHS and Halogen Free Compliance Report /不使用禁用物質證明書

Winbond certifies that the above part number product is in compliance with Halogen Free (IEC 61249-2-21),

European RoHS (EU Directive 2011/65/EU & 2015/863/EU), China RoHS, and Level 1 of SONY SS-00259

requirements.

華邦保證以上產品型號符合無鹵素(IEC 61249-2-21), 歐盟RoHS指令(指令 2011/65/EU & 2015/863/EU),

中國電子資訊產品污染控制管理辦法及索尼SS-00259第一級管理物質之規定

PART NUMBER: W25Q16JVSSIQ Document Date: 2018/09/18

* 如您需要進一步分析報告, 請聯絡本公司銷售代表

Bromine (Br)

Lead (Pb)

Threshold, Homogeneous Level

< 1000 ppm

< 100 ppm Cadmium (Cd)

< 1000 ppm

< 1500 ppm Total concentration of Bromine (Br) +Chlorine (Cl)

< 900 ppm

< 1000 ppm

European Union’s Restriction on Use of Hazardous Substances (“RoHS”)

< 900 ppm

Mercury (Hg)

Polybrominated Diphenyl Ethers (PBDEs)

Halogen Restricted Substances Threshold, Homogeneous Level

Halogen Free Specifications (IEC 61249-2-21,JPCA-ES01 2003, IPC 4101)

Chlorine (Cl)

Bis (2-ethylhexyl) phthalate (DEHP)

Butyl benzyl phthalate (BBP)

Dibutyl phthalate (DBP)

Diisobutyl phthalate (DIBP)

< 1000 ppm

RoHS Restricted Substances

制造商	Winbond Electronics
系列	SpiFlash®
包装方式	管件
寿命周期	在售
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
技术	FLASH - NOR
存储容量	16Mb （2M x 8）
时钟频率	133MHz
写周期时间 - 字，页	3ms
存储器接口	SPI
工作电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
工作温度范围	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
封装 / 箱体	8-SOIC

Prve：M12L64164A-5TG高频率200MHz存储器原装现货供应

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