SST39VF3201-70-4I-B3KE原装现货推荐工业级耐高温BGA48,电压2.7-3.6V,超级闪存32兆NOR FLASH(图片)

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宝星微强力推荐32兆超级闪存NOR FLASH,该存储器特点擦写速度快,读写速度快，功耗低等等SST39VF3201-70-4I-EKE 原装现货TSOP48,电压2.7-3.6V,超级闪存NOR FLASH。

SST39VF3201-70-4I-B3KE技术的优势,快速的固定编程和擦除时间,传统的64 Mb需要超过一分钟的时间，而SST39VF3201-70-4I-EKE支持SuperFlash 技术只需大约40 ms • 提高生产效率，降低成本SST39VF1601-70-4I-EKE擦除之前无需预编程或校验，显著降低功耗，超高可靠性，SST39VF3201-70-4I-B3KE擦写次数可达10万次，数据保持时间可达100年，SST39VF3201-70-4I-B3KE固有的小扇区大小 • 4 KB擦除扇区，而传统存储器则为64 KB • 更快速的重写操作，有助于降低总功耗。

SST39VF3201-70-4I-B3KE图片

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串行和并行闪存串行闪存（25和26系列）用于消费类电子、计算、联网和工业领域中的一系列广泛应用。小尺寸外形、标准引脚排列和命令集可以让您在设计中轻松使用串行闪存，具有成本竞争力。我们的并行闪存（39和38系列）非常适合GPS/导航和其他需要芯片内执行（XIP）性能的移动设备，以及要求苛刻的工业和汽车应用。8 Mb和16 Mb固件闪存 Microchip是8 Mb和16 Mb固件闪存的唯一供应商。这些基于SuperFlash技术的存储器器件均符合Intel低引脚数（LPC）接口规范，用于存储应用中的系统BIOS，例如PC、POS系统、机顶盒、网卡和其他嵌入式CPU应用。FWH器件（49LF008A和49LF016C）包含在Intel 8XX系列集线器架构芯片组中使用的Intel专有FWH接口协议，LPC闪存器件（49LF080A和49LF160C）遵从标准Intel 低引脚数接口规范1.1。

SST39VF3201-70-4I-EKE封装图TSOP48

SST39VF3201-70-4I-EKE-96

SST39VF3201-70-4I-B3KE并行闪存的应用蓝牙,GPS, Wi-Fi/WiMAX, 手机, DSL/电缆调制解调器,服务器和路由器,机顶盒,数码相机,工业,汽车信息娱乐等

SST39VF3201-70-4I-EKE 概述

The SST39VF3201 device is organized in 2M x16, The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST39VF3201 writes (Program or Erase) with a 2.7-3.6V power supply. This device conforms to JEDEC standard pinouts for x16 memories.

SST39VF3201-70-4I-EKE 特性

Organized as 2M x16: SST39VF3201/3202
Low Power Consumption (typical values at 5 MHz)– Active Current: 9 mA (typical)– Standby Current: 3 µA (typical)– Auto Low Power Mode: 3 µA (typical)
Hardware Block-Protection/WP# Input Pin– Top Block-Protection (top 32 KWord)for SST39VF3202– Bottom Block-Protection (bottom 32 KWord)for SST39VF3201
Sector-Erase Capability– Uniform 2 KWord sectors
Block-Erase Capability– Uniform 32 KWord blocks
Chip-Erase Capability
Erase-Suspend/Erase-Resume Capabilities
Hardware Reset Pin (RST#)
Security-ID Feature– SST: 128 bits; User: 128 bits
Fast Erase and Word-Program:– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)– Block-Erase Time: 18 ms (typical)– Chip-Erase Time: 40 ms (typical)– Word-Program Time: 7 µs (typical)
Packages Available– 48-lead TSOP (12mm x 20mm)– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)
All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant