SST39VF6401B-70-4I-EKE原装现货工业级耐高温TSOP48,低功耗(图片)超级闪存64兆

宝星微强力推荐64兆超级闪存NOR FLASH,该存储器特点擦写速度快,读写速度快，功耗低等等SST39VF6401B-70-4I-EKE原装现货TSOP48,电压2.7-3.6V,超级闪存NOR FLASH。

SST39VF6401B-70-4I-EKE技术的优势,快速的固定编程和擦除时间,传统的64 Mb需要超过一分钟的时间，而SST39VF6401B-70-4I-EKE支持SuperFlash 技术只需大约40 ms • 提高生产效率，降低成本SST39VF6401B-70-4I-EKE擦除之前无需预编程或校验， 显著降低功耗， 超高可靠性，SST39VF3201-70-4I-EKE擦写次数可达10万次，数据保持时间可达100年，SST39VF3201-70-4I-EKE固有的小扇区大小 • 4 KB擦除扇区，而传统存储器则为64 KB • 更快速的重写操作，有助于降低总功耗。

SST39VF6401B-70-4I-EKE图片

串行和并行闪存串行闪存（25和26系列）用于消费类电子、计算、联网和工业领域中的一系列广泛应用。小尺寸外形、标准引脚排列和命令集可以让您在设计中轻松使用串行闪存，具有成本竞争力。我们的并行闪存（39和38系列）非常适合GPS/导航和其他需要芯片内执行（XIP）性能的移动设备，以及要求苛刻的工业和汽车应用。8 Mb和16 Mb固件闪存 Microchip是8 Mb和16 Mb固件闪存的唯一供应商。这些基于SuperFlash技术的存储器器件均符合Intel低引脚数（LPC）接口规范，用于存储应用中的系统BIOS，例如PC、POS系统、机顶盒、网卡和其他嵌入式CPU应用。FWH器件（49LF008A和49LF016C）包含在Intel 8XX系列集线器架构芯片组中使用的Intel专有FWH接口协议，LPC闪存器件（49LF080A和49LF160C）遵从标准Intel 低引脚数接口规范1.1。

SST39VF6401B-70-4I-EKE封装图TSOP48

SST39VF6401B-70-4I-EKE并行闪存的应用蓝牙,GPS, Wi-Fi/WiMAX, 手机, DSL/电缆调制解调器,服务器和路由器,机顶盒,数码相机,工业,汽车信息娱乐等

 产品描述

The SST39VF6401B / SST39VF6402B devices are 4M x16, CMOS Multi-Purpose

Flash Plus (MPF+) manufactured with proprietary, high performance CMOS

SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injec-

tor attain better reliability and manufacturability compared with alternate

approaches. The SST39VF6401B / SST39VF6402B write (Program or Erase)

with a 2.7-3.6V power supply. These devices conform to JEDEC standard pinouts

for x16 memories and are command set compatible with other Flash devices,

enabling customers to save time and resources in implementation.

主要特点：

• Organized as 4M x16

• Single Voltage Read and Write Operations

– 2.7-3.6V 

• Fast Read Access Time:

–70 ns

• Latched Address and Data

• Fast Erase and Word-Program:

– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)

– Block-Erase Time: 18 ms (typical)

– Chip-Erase Time: 40 ms (typical)

– Word-Program Time: 7 µs (typical)

引脚定义：